Основные параметры |
Разрешение |
1.0 нм при 15 кВ (SE) |
Ускоряющее напряжение |
20 В - 30 кВ |
|
Увеличение |
1 - 2 500000 x |
|
Тип источника электронов |
автоэмиссионный катод Шоттки |
|
Работа с образцом |
Вакуум |
5×10-4 Па |
Диапазон перемещений столика |
X:120 мм Y:115 мм Z: 50 мм T: -10° ~+90° R: 360° |
|
Программное обеспечение |
Навигация |
Оптическая навигация, быстрая навигация при помощи мыши |
Детектор |
Стандарт |
Высокоугловой, встроенный в колонну детектор вторичных электронов Малоугловой боковой детектор вторичных электронов. |
Опции |
EDS, EBSD, SED, STEM и другие |