Растровый электронный микроскоп высокого разрешения JIB-4601F Multibeam с ионной пушкой для микротравления

Оформить заявку
При заполнении формы Вы даете согласие на обработку персональных данных.
  • Растровый электронный микроскоп высокого разрешения JIB-4601F Multibeam с ионной пушкой для микротравления
  • характеристики
Тип источника электронов термополевой эмиттер (катод Шоттки)
Пространственное разрешение 1,2 нм при 30 кВ, 3 нм при 1 кВ
Энергия электронного луча от 200 эВ до 30 кэВ
Увеличение от 50 до 1 000 000 крат
Ток луча до 200 нА
Аналитические приставки-опции система энергодисперсионного микроанализа, система анализа дифракции отражённых электронов, система спектрального анализа катодолюминесценции, детектор прошедших электронов
Источник ионов источник ионов галлия
Пространственное разрешение при сканировании ионным пучком 5 нм при 30 кВ
Ускоряющее напряжение ионной пушки от 5 до 30 кВ
Увеличение при сканировании ионным пучком от 30 до 300 000 крат
Максимальный ток ионной пушки 30 нА
Дополнительное обородувание дополнительные газовые инжекторы

 

Заявка на обратный звонок
При заполнении формы Вы даете согласие на обработку персональных данных.