Растровый электронный микроскоп высокого разрешения JIB-4601F Multibeam с ионной пушкой для микротравления

Оформить заявку
  • Растровый электронный микроскоп высокого разрешения JIB-4601F Multibeam с ионной пушкой для микротравления
  • характеристики
Тип источника электронов термополевой эмиттер (катод Шоттки)
Пространственное разрешение 1,2 нм при 30 кВ, 3 нм при 1 кВ
Энергия электронного луча от 200 эВ до 30 кэВ
Увеличение от 50 до 1 000 000 крат
Ток луча до 200 нА
Аналитические приставки-опции система энергодисперсионного микроанализа, система анализа дифракции отражённых электронов, система спектрального анализа катодолюминесценции, детектор прошедших электронов
Источник ионов источник ионов галлия
Пространственное разрешение при сканировании ионным пучком 5 нм при 30 кВ
Ускоряющее напряжение ионной пушки от 5 до 30 кВ
Увеличение при сканировании ионным пучком от 30 до 300 000 крат
Максимальный ток ионной пушки 30 нА
Дополнительное обородувание дополнительные газовые инжекторы

 

Заявка на обратный звонок