Оже-микроанализатор JAMP-9510F

Оформить заявку
  • Оже-микроанализатор JAMP-9510F

Выпускаемая сегодня модель оже-микроанализатора JAMP-9510F оснащается термополевым катодом и имеет электронно-оптическую систему новой конструкции, которая позволила значительно повысить пространственное решение, давая возможность получать на JAMP-9510F электронный зонд с минимальным диаметром 3 нм (в режиме вторичной электронной эмиссии) и 8 нм (в режиме Оже-анализа).
 
JAMP-9510F - это сверхвысоковакуумный аналитический РЭМ, обладающий высоким разрешением во вторичных электронах и очень высоким разрешением в Оже-электронах, оснащенный спектрометром энергии электронов высокого разрешения (до 0,05%), с помощью которого можно осуществлять не только элементный, но и химический анализ (т.е., например, различать кремний в окисле и кремний в чистом состоянии), что позволяет проводить тонкие исследования профилей концентрации элементов на границах раздела в многослойных полупроводниковых структурах.

  • характеристики
Разрешение во вторичных электронах 3 нм (при 25 кВ, 10 пА)
Диаметр зонда для Оже-микроанализа 8 нм (при 25 кВ, 1 нА)
Тип электронной пушки термополевой катод Шоттки
Энергия электронного зонда от 0,5 до 30 кэВ
Ток зонда от 10 пА до 0,2 мкА
Увеличение от 25 до 500 000 крат
Оже-спектрометр полусферический электростатический анализатор
Разрешение по энергии Оже-спектрометра от 0,05 до 0,6 %
Чувствительность Оже-спектрометра 840 000 имп / 7 каналов*сек
Система детектирования Оже-спектрометра многоканальный детектор
Ускоряющее напряжение ионной пушки от 0,01 до 4 кВ (от 10 до 100 В для нейтрализации заряда)
Ионный ток 2 мкА или более при 3 кВ и 0,03 мкА или более при 0,01 кВ
Функция нейтрализации поверхностного заряда на образце встроена
Диапазон перемещения столика образцовобразце X: ±10 мм; Y: ±10 мм; Z: ±6 мм; наклон: от 0 до 90 градусов; поворот: 360 градусов
Размер образца 20 мм диаметр, 5 мм толщина
Предельное давление в камере образцов 5 х 10-8 Па или менее
Отжиг колонны система отжига встроена, отжиг автоматический
Изображения спектры, профилирование по глубине, линейные профили, картирование в Оже-электронах, изображение во вторичных электронах

 

Заявка на обратный звонок